收藏本站
IXFB 100N50P
160
140
Fig. 7. Input Admittance
150
135
Fig. 8. Transconductance
120
120
105
100
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
90
75
60
T J = - 40oC
25oC
125oC
45
40
30
20
0
15
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 50A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
C iss
C oss
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1,000
100
C rss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFB100N50Q3 MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFB120N50P2 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IXFB170N30P MOSFET N-CH TO-264
IXFB210N20P MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB30N120P MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB38N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXFB40N110P MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
IXFB44N100P MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
相关代理商/技术参数
IXFB100N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB110N60P3 功能描述:MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB120N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB132N50P3 功能描述:MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB170N30P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N20P 功能描述:MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB300N10P 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube